将[233]共面双滑移取向的铜单晶体在两种恒塑性应变幅下进行循环疲劳,形成密度不同的位错结构.用高密度脉冲电流对疲劳铜单晶体处......

在塑性分切应变幅（γｐｌ）约为１０＾－４￣１０＾－２范围内，研究了共面双滑移取向［＾－２３３］和单滑移取向［＾－４１８４１］（Ｓｈｉｍｉｄ因子Ω＝０．５）铜单晶体的循环形变行为。当γｐｌ〈３×１０＾－３，［＾－２３３］晶体的初始硬化速度......