准饱和效应相关论文
本文采用一个七端口的符号定义器件SDD技术建立了一个InP HBT的大信号模型.此模型考虑了InP HBT的自热效应、准饱和效应等非理想效......
截止频率是RFLDMOS在应用中的重要特征,本文分析了在正常工作情况下影响器件截止频率的主要因素,并主要讨论了LDMOS漂移区与沟......
VDMOS器件具有开关速度快、输入阻抗高和负温度系数等一系列优点,是当前半导体分立器件的高端产品,应用范围广,市场需求大,发展前景好......
功率VDMOSFET是功率电力电子器件的主流产品之一.它在大功率开关、功率放大器等领域中的应用日益广泛.VDMOSFET具有高输入阻抗,低......
在考虑准饱和效应的情况下,给出了能够精确描述漂移区纵向电场对电子迁移率影响的微分方程,建立了包括用解析方法求解该方程、漂移......
借助二维数值模拟软件ATHENA和ATLAS,研究分析了一款耐压为700 V的外延型LDMOS管的工作特性.按其工作机制,提出了用一个MOST和两个......
借助于SILVAC0TCAD仿真工具,研究了高压LDMOS电流准饱和效应(Quasi—saturationeffect)的形成原因。通过分析不同栅极电压下漂移区的......
分析了功率VDMOS晶体管在小尺寸时准饱和效应的成因,并对其进行了理论证明和模拟验证.研究结果表明,在晶体管导通状态下,由于寄生J......
本课题的研究目的旨在从改变功率VDMOS的结构参数入手得到外延层厚度和栅源电压对功率VDMOS纵向电场的影响,并且在结构参数变化的......
为解决垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS器件)模型精确度差的问题,建立了一套新的VDMOS模型.与其他模型相比,该模型在VDMOS器件源极......
研究了高压sj—nLDMOS器件中的一种特殊的电流饱和现象一准饱和效应。利用仿真工具SILVACO,对三维nLDMOS器件进行仿真,并从准漏极电......
本文详细研究了VDMOS晶体管中的准饱和效应。研究表明,这种效应是由于器件的结型场效应晶体管区域内载流子速度饱和所引起。为了研......
在绝缘栅双极晶体管(IGBT)的开通过程中,从断态到通态(即饱和态)的过程中要经过一个准饱和区。因为结的准饱和状态而增加的压降与......