采用MBE技术在蓝宝石（1120）基片上生长出垂直取向的ZnO薄膜，在si（111）基片上生长出平行取向的ZnO薄腹，并分别讨论了基片材料、基片温度和......

分用子束外延法分别在经（ＮＨ４）２Ｓｘ溶液和Ｓ２Ｃｌ２溶液印化的ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＺｎＳｅ薄膜，用室温喇曼光谱对不同处理方法的ＧａＡｓ上所长ＺｎＳｅ薄膜的晶体质量和ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面进行对比研......