切克劳斯基法相关论文
在能源紧张的情况下,人们十分注重太阳能电池的开发。本文介绍了几种太阳能电池,并对其最新研究状况作了说明,指出必须进一步提高......
用切克劳斯基法,掺入InN可以生长出低缺陷InSb单晶。通过腐蚀观察对掺入InN的InSb晶体进行了研究,并与未掺杂的晶体做了对比分析。......
砷化镓正在赶上硅。由于砷化镓中电子的迁移速度比硅中快4倍,因此对于超级计算机、光信号处理机和卫星广播接收机来说它是一种理......
考虑了熔体中生长晶体表面各不同温度处的热辐射的交换和气体的对流,通过计算解决了从熔体中生长的晶体的热传递问题。在真空中生......
用普通的切克劳斯基法生长硅晶体会招致形成大量的氧络合物;在对硅进行高温处理期间这种氧杂质的存在可以引起各种晶体缺陷,但是通......
两种低成本,能适用于任何实际拉晶机械装置的简易压力室已经制成。它们被设计成能工作在最高温度1300℃、最大压力1000磅/英寸~2,......
单晶硅最早是用切克劳斯基方法制备的。功率器件对高电阻率硅的需要,要求发展无坩埚区熔提纯技术。由气相沉积法得到的多晶棒经区......
一、前言 用硅的卤化物进行化学汽相沉积直接生长硅单晶锭(CVD法)是比切克劳斯基法(CZ法)和悬浮区熔法(FZ法)更为简便的工艺。它......
本文叙述了如何用切克劳斯基法来制备P型掺金锗单晶。根据卅多次拉晶实验,我们总结得到制备时的要求:①金的加料要适当偏高,②锗料......
<正> 众所周知,硅具有一系列的特性,使之成为很有吸引力的半导体材料。主要的理由是资源丰富,二氧化硅在地壳中占28％,这就使硅材料......
索尼公司最近发展了一项制造高质量单晶硅的新方法——强磁场切克劳斯基法,简称MCZ法。该法最早由美国的空间实验为了试验硅以外......
以10~(10)～10~(16)/cm~2的剂量向硅晶体中注入氮。700℃热退火后在1.1223eV处(A线)观察到光致发光,而这种效应以前仅在体掺杂晶体中......
据报导,苏联列宁格勒加里宁工学院目前正在进行用电子辐照磷化铟的试验,这种试验目前已告一段落。试验的目的在于探索电子辐照对......
