半导体光电材料相关论文
该文以电子显微谱、X射线衍射谱、紫外可见光光谱及荧光光谱为主要研究手段,针对硫化镉膜的制作方法,光电性质进行了系统的研究和......
ZnO是一种直接宽带隙化合物半导体材料,其室温禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能为60meV,高于室温热能26meV,因而理论上室温下即会获得高效......
学位
ZnO材料是一种II-VI族宽禁带的多功能半导体光电材料,在紫外发光管和激光器、紫外探测器、透明导电电极和高频声表面波器件等领域都......
目前,随着能源危机和环境污染问题的日益突显,基于太阳能的光电材料受到越来越多人的关注。然而,传统光电材料面临着材料结构单一......
微纳核-壳结构半导体光电材料,由于具有独特的理化特性,近来得到了人们的广泛关注,并已经应用于光电化学太阳能电池、光电子器件、光......
本文主要分为三个部分,第一部分利用实验结合第一性原理计算研究了InN的杂质性质和带隙争论。第二部分利用第一性原理和波尔兹曼输......
对于聚合物与有新奇结构的多臂纳米棒形成的复合结构薄膜,不仅增大了电荷分离的界面,而且具有优异的一维电荷输运性质,且解决了普通的......
本文介绍了采用vandePauw法测量GaP材料电学性能参数时,电极材料的选取及实现电极与样品良好欧姆接触的电极制备条件。......
江苏瓷光光电有限公司是一家致力于电子与半导体光电材料、电子元器件、光电子器件的研发、销售、技术服务的高新技术企业,成立于2......
...
光电半导体是可以实现光电转化的重要功能材料,广泛应用于二极管、发光电极、太阳能电池和探测器等诸多电子器件。其中,稳定性较高......
ZnO是一种直接宽禁带半导体光电材料,室温禁带宽度为3. 37 eV,自由激子结合能高达60meV,远大于GaN的25 meV和ZnSe的22 mev。ZnO薄......