【摘 要】
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在950°C和1 120 °C温度下,对非掺杂半绝缘LEC GaAs进行了不同As气压条件下的热处理,热处理的时间为2～14小时.发现不同As压条件下的热处理可以改变GaAs晶片的化学配
【机 构】
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河北工业大学电信学院,天津电子材料研究所300192
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在950°C和1 120 °C温度下,对非掺杂半绝缘LEC GaAs进行了不同As气压条件下的热处理,热处理的时间为2～14小时.发现不同As压条件下的热处理可以改变GaAs晶片的化学配比,并导致本征缺陷和电参数的相应变化.在950°C和低As气压条件下进行14小时热处理,可在样品体内(表面150 μm以下)引入一种本征受主缺陷,使电阻率较热处理前增加约50%,霍尔迁移率下降70%.这种本征受主缺陷的产生是由于热处理过程中样品内发生了As间隙原子的外扩散.提高热处理过程中的A
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