实验研究了具有微带同轴联结方式的横向GaAs光电导开关(触发光源用波长1 064 nm、脉宽15 ns的Nd:YAG激光器,电极间隙为2.8和4 mm)......

基于转移电子效应提出半绝缘光电导开关延迟偶极畴工作模式，理论分析了强场下开关的周期性减幅振荡，指出开关的周期性减幅振荡是由于......

通过对电极间隙为3mm和8mm半绝缘GaAs光电导开关损伤实验研究发现,引起开关损伤的主要机制是沿面闪络和丝状电流。沿面闪络是在高......

半导体光电导开关(简称PCSS’s)作为一种新型的高功率超宽带电磁脉冲源,具有传统开关不能比拟的优点,其产生的线性电磁脉冲上升前......

光电导开关是将光电导体和超短激光脉冲相结合的一种半导体器件。它具有极其优良的特性,如响应速度快,具有皮秒或亚纳秒量级的上升......

半绝缘GaAs光电导开关(Photoconductive Semiconductor Switches简称PCSS’s)具有兼备宽频带和高功率容量特性，使其在超高速电子学......