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实验用波长1064nm,触发光能为1.0mJ的激光脉冲触发电极间隙为4mm的半绝缘GaAs光电导开关,当光电导开关的偏置电压达到3800V时,开关......
非线性光导半导体开关的快速导通过程总是伴有电流丝的形成,基于电流丝形成的雪崩碰撞引起的粒子束放电机制的假定,考虑到载流子寿......
本文基于气体放电理论和光激发电荷畴模型,用半导体流注模型解释了高功率GaAs存在的丝状电流现象,并讨论其形成的物理过程。同时指......
从GaAs开关的非线性工作模式各类性质出发，详细分析了高倍增模式下工作的电流丝现象。通过实验分析提出了形成丝状电流所需的两个条......
通过对电极间隙为3mm和8mm半绝缘GaAs光电导开关损伤实验研究发现,引起开关损伤的主要机制是沿面闪络和丝状电流。沿面闪络是在高......
GaAs光电导开关(Photoconductive Semiconductor Switches简称PCSS’s)具有触发无晃动、寄生电感电容小、上升时间快、重复频率高......
