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半面进气相关论文
低位错GaN及低温AlN的MOCVD外延生长研究
随着Ⅲ族氮化物外延技术的发展和器件制备工艺的进步,基于GaN的各类光电子器件发展迅速。为满足高性能大功率GaN基光电子器件和电......
学位
缺陷优先钝化法
穿透位错
半面进气
低温AlN薄膜
自限制生长效应
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