穿透位错相关论文
运用低压金属有机物气相外延法(MOCVD),在GaN/蓝宝石复合衬底上,采用侧向外延生长技术制备出高质量的GaN外延膜,并对其进行扫描电......
会议
用射频等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上外延了高阻GaN膜并用霍耳测试系统做了外延膜的高温变温电阻率测试和高温单个温......
本文通过结合透射电子显微镜,高分辨率X射线衍射仪和原子力显微镜等表征检测手段,对于在蓝宝石衬底上,采用高温AlN成核层MOCVD异质......
会议
到目前为止,作为重要的发光器件蓝光GaN LED,它的退化及退化机理已经被深入研究,并提出了许多模型,如非辐射复合中心的增加造成辐......
采用低压金属有机物化学气相沉积设备在GaAs衬底上生长了GaxIn1-xP(x=0.52-0.22)渐变过渡层及其上的In0.3Ga0.7As外延层，并用高......
会议
本文研究了在GaN上外延生长InGaN薄膜中应变及缺陷随厚度的变化。研究发现，100 nm厚的In0.11Ga0.89N薄膜与GaN层基本保持共格状态。......
目前，Ⅲ-Ⅴ族多结太阳电池通过合理的带隙组合可以实现对太阳光谱的分段吸收利用，从而获得高的光电转换效率。其中，三结晶格失配太阳......
宽禁带III-v族氮化物(InN、GaN、AIN以及由它们组成的合金固熔体)是直接带隙材料，其覆盖从红外到紫外间的光谱范围。其中，A1-xGa1-xN......
有关GaN和富Ga的InGaN薄膜中的位错和极性已有TEM研究,而InN和富In的InGaN薄膜却少见报道.研究InN薄膜中的缺陷和极性对生长高质量......
利用金属有机物气相外延法(MOCVD),在GaN/蓝宝石复合衬底上,采用侧向外延生长技术制备出高质量的GaN外延膜,并对其进行扫描电镜、X......
利用高分辨X射线衍射仪（XRD）分析了长时间退火前后的GaN样品，通过对各个样品的（0002）面摇摆曲线进行线形拟合及分析，发现虽然退火后摇摆......
利用熔融KOH液对单层GaN腐蚀后进行二次MOCVD外延生长，对不同二次生长时间的薄膜及生长前的薄膜进行扫描电子显微、X射线衍射和光致......
用Thomas Swan公司的MOCVD系统在蓝宝石(0001)面上生长了高质量的GaN薄膜．采用多种化学腐蚀方法，如熔融KOH，H3PO4与H2SO4混合酸和HCl......
用阴极射线致发光（CL）法、透射电子显微镜（TEM）和X射线衍射（XRD）法研究了异质外延GaN材料的发光性质与结构特性的关系．结果表明，GaN外延层......
<正>一、前言2014年10月7日,瑞典皇家科学院将诺贝尔物理奖授予了日本科学家赤崎勇(Isamu Akasaki),天野浩(Hiroshi Amano)和中村......
随着Ⅲ族氮化物外延技术的发展和器件制备工艺的进步,基于GaN的各类光电子器件发展迅速。为满足高性能大功率GaN基光电子器件和电......
