单原子层相关论文
InGaN化合物半导体的禁带宽度从3.39eV至0.64eV可调,其波长覆盖了深紫外至近红外波段,这使其在发射波长高度可调的光电器件方面具......
会议
双金属纳米材料(异质结构、核壳结构等)由于金属间的协同作用通常会展现出更为优异的性能。特别地,通过在一种金属表面引入另外一种......
随着科学技术的发展,维度已成为调制物质结构和特性的一个重要参数。当材料由三维结构变到二维、一维和零维时,其几何结构和物理化......
InGaN化合物半导体的禁带宽度从3.39 eV 至0.64 eV 可调,其波长覆盖了深紫外至近红外波段,这使其在发射波长高度可调的光电器件方面......
通常认为原子厚度的石墨烯薄膜,其最大电磁吸收率只有50%[1]。而打破这一吸收极限的方法一般是采用层叠的方式。通过该方法虽然可以......
被称为“黑金”和“豺科之王”,在国外得到高彦重视,国内短短几年间被炒得热岌空对,目前依然热度不减,那就非石墨烯新封料莫属。石......
随着2004年石墨烯的问世,其作为单原子层二维材料第一次出现在人们的面前,很长一段时间以来,石墨烯风靡整个科学界,被誉为最具有颠......
二维材料自石墨烯被发现以来就受到广泛的研究,二维材料的家族也在不断地壮大。到目前为止,所研究的二维单质材料主要是非金属元素......
采用常压化学气相沉积(APCVD)法制备二维六方氮化硼的基本方法,系统探究衬底抛光处理、衬底与前驱体间距、前驱体加热温度、生长温度......
研究了InGaAs/InP材料的MOCVD生长技术和材料的性能特征。InP衬底的晶向偏角能够明显影响外延生长模型以及外延层的表面形貌,用原子......
一个困扰世界凝聚态物理和材料物理界多年的难题近期被攻克。南开大学和美国阿贡国家实验室、纽约州立大学石溪分校、美国西北大学......
随着真空器件向着高频率、高功率的方向发展,对阴极的要求也越来越高。扩散阴极是一种极具潜力的阴极,能够满足器件的绝大部分需求......
和过电位沉积相反,欠电位沉积Under-Potential Deposition(UPD)是指在较热力学平衡电位更正处发生的金属沉积现象,这种沉积是金属......
<正>近年来,二维晶体材料因其优越的电气特性,成为半导体材料研究的新方向。继石墨烯、二硫化钼之后,在《自然?纳米技术》杂志上,......
激光分子束外延薄膜,是近年发展起来的、以原子层、原胞层尺度研制薄膜的新技术、新方法。本文简要地介绍激光分子束外延的工作原理......