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本文在详细分析各种不同条件下全耗尽MOSFET单晶体管Latch效应测试结果的基础上,较为详细地讨论了单晶体管Latch效应的物理机理,发现单管Latch效应与MOSFET的寄生......
复旦大学科研团队近日在集成电路基础研究领域取得一项突破,他们发明了新的单晶体管逻辑结构,使晶体管面积缩小50%,存储计算的同步......
本文对SIMOX/SOI全耗尽N沟MOSFET中单晶体管Latch状态对器件性能的影响 实验研究,实验结果表明,短时间的Latch条件下的电应力冲击便可使全耗尽器件特性产生明显......