针对130 nm体硅反相器链,利用脉冲激光和重离子实验研究了目标电路单粒子瞬态(SET)的脉宽特性,并分析了电路被辐射诱发的SET脉宽特......

为了在集成电路的设计阶段进行软错误率的有效评估,建立了一种精确的单粒子瞬态故障概率模型与脉冲屏蔽模型,并提出一种基于故障概......

随着集成电路工艺尺寸和供电电压的降低,导致电路节点的关键电荷相应减小,使得电路对单粒子效应更加敏感。为了更有效地降低电路的......

为了研究组合逻辑中单粒子瞬态(Single-Event Transient,SET)的特性,采用片上测量技术提出了一套SET脉冲宽度测量方案.针对SET脉冲......

为了快速准确地的评估微处理器单粒子瞬态(single event transient,SET)软错误敏感性,文章提出了一种改进的基于现场可编程门阵列(......