单势垒相关论文
基于CoFeB-MgO的磁性隧道结由于具有极高的TMR比值(室温604％[1])而被人们广泛研究.为了有效提高V1/2(TMR比值下降到最大值的一半时......
软击穿后的MOS器件的微分电导谱已用于研究软击穿后的超薄SiO2的电导性质，结果表明：软击穿后的超薄SiO2的栅电流－栅电压特性的微分电......
自旋电子学(Spintronics)在过去的20年间经历了从产生到飞速发展的阶段。它着眼于研究电子的自旋自由度而不是其电荷自由度，为现代......
介绍了共振隧穿二极管物理模型的量子力学基础，重点讲解共振隧穿两种物理模型，从不同维度隧穿的特点分析共振隧穿和非共振隧穿的区别......
运用投影格林函数方法（PGF）研究一维单势垒结构中的电子隧穿时间这一古老而基础的问题．将PGF近似方法运用到一维单势垒结构，简单方便的......
