双芯GCT（Dual-GCT）是基于集成门极换流晶闸管（Integrated Gate Commutated Thyristor,IGCT）开发的一种新型电力半导体器件,是将两个不......

双芯GCT(Dual-GCT)是一种新型的电力半导体器件,将两个结构相同、少子寿命不同的非对称型GCT集成在一个芯片上,采用两个门极分别来......

动态雪崩是限制功率器件安全工作区(SOA)的关键因素。功率器件在过应力条件下关断时,由于内部自由载流子对电场的调制,动态雪崩发......

随着半导体工艺技术的不断更新与优化,电力半导体器件逐渐向大功率、高频、小型化等方向发展,导致其芯片必须承受更高的功率密度和......

双芯GCT(Dual-GCT)是在集成门极换流晶闸管(IGCT)的基础上发展而来的一种新型大功率电力半导体器件,它是将两个具有不同特性的GCT......

为了更好的适应电力电子的应用需求,电力半导体器件逐渐向高电压、大电流、高频、快速以及小型化方向发展,因此必须承受更高的功率......