反向阻断特性相关论文
将新器件结构与新型半导体材料相结合,提出了一种新型的n-区三层渐变掺杂理想欧姆接触型p+(SiGeC)-n--n+异质结功率二极管,并对n-......
为实现反向阻断特性和正向导通压降的折衷优化、提高单极型二极管功率,通过增加结型势垒控制肖特基二极管P柱区域结深,在JBS二极管......
为改善肖特基整流器的阻断特性,将PN结引入到肖特基结构中形成JBS结构,从PN结相关参数入手研究其对JBS整流器阻断特性的影响。利用......
将新器件结构与新型半导体材料相结合，提出了一种新型的n^-区三层渐变掺杂理想欧姆接触型P^＋（SiGeC）-n^- -n^＋异质结功率二极管，并对n区......
