砷化镓（GaAs）负电子亲和势（NEA）光电阴极由于优异的性能,自60年代发现以来,获到了迅猛发展和广泛研究.由于缺乏分析GaAs光电阴极激活工......

高温热氧化法在4H-SiC（0001）晶面上生成SiO2氧化膜,采用湿氧二次氧化（wet-ROA）工艺对样品进行处理,通过测量SiCMOS结构界面电学特性,发......

采用高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2膜,使用质量分数为1%的HF酸刻蚀该氧化膜,制备出超薄(1～1.5nm)SiO2/SiC界面样品。采......

用变角X射线光电子能谱(XPS)技术分析了GaAs光电阴极的激活工艺,定量计算了阴极表面激活层和界面氧化层的厚度和组成.界面氧化物是......