SiO<sub>2</sub>/SiC界面过渡区结构研究

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ttjjww1129

【摘要】

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采用高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2膜,使用质量分数为1%的HF酸刻蚀该氧化膜,制备出超薄(1～1.5nm)SiO2/SiC界面样品。采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技术对样品进

【作者】

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朱巧智王德君赵亮李秀圣

【机构】

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大连理工大学电子与信息工程学院

【出处】

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半导体技术

【发表日期】

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2008年S1期

【关键词】

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SiO2/SiC界面 4H-SIC 变角X射线光电子能谱缺陷 SiO2/SiC interface 4H-SiC ADXPS defect

【基金项目】

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国家科技部重大基础研究前期研究专项基金(2005CCA00100),教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-06-0278),教育部留学回国人员科研启动基金(20071108),辽宁省自然科学基金(20072192)

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采用高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2膜,使用质量分数为1%的HF酸刻蚀该氧化膜,制备出超薄(1～1.5nm)SiO2/SiC界面样品。采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技术对样品进行分析,分析结果显示,高温氧化形成的SiO2/4H-SiC(0001)界面过渡区的成分分布情况,适合用一个分层模型来描述,进而建立了过渡区成分分布的原子级结构模型。

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