台阶效应相关论文
微细电火花加工技术因其宏观切削力小而被广泛地应用于微孔和三维微结构的加工。微细电火花加工三维微结构的主流技术是通过具有简......
注入水的水驱效果是评价油田高效开发的重要因素,影响着油田的采出程度和最终采收率.本文通过对正韵律地层沉积特点及水驱机理的探......
积累区MOS电容线性度高且不受频率限制,具有反型区MOS电容不可比拟的优势.本文在研究应变Si NMOS电容C-V特性中台阶效应形成机理的......
3D打印技术是一种高效、低耗材的新型加工成型技术,颠覆了传统制造思想,突破了传统减材技术的束缚,不受成型加工的限制,产品设计师......
熔融沉积成型(Fused Deposit Modeling,FDM)三维打印技术因为打印设备简单、丝材价格低廉、操作易于上手等优点,已经发展成为应用......
为快速直接制造具有复杂曲面的个性化金属零件,需要保证激光选区熔化(SLM)成型曲面特征的表面成型质量。通过正交实验获得Ni Cr合......
本文给出了一种低信噪比下卫星数字调制信号的识别方法,该方法首先采用小波变换与滑动窗技术,实现FSK信号与PSK信号的类问识别,然......
本文在常温下观察到自组装金纳米团簇(CAu MPC)的量子化电容充电现象,采用交流阻抗法,通过测定自组装CAu MPC产生库仑台阶效应时的......
教育家夸美纽斯说过:"教育人是艺术中的艺术,教育人使用的语言是艺术的语言."准确流畅,清晰生动的描述,循循善诱,层层推理,点滴入......
首先通过减小垒前阱的厚度消除了负阻区的＂台阶区＂,提高负阻区的阻值为-7.916Ω,并通过加压测试RTD（共振隧穿二极管）的力电耦合灵敏度,......
以FDM成型工艺程序为线索,分析可能影响FDM成型精度因素。研究了FDM快速成型原理导致的原理性误差,FDM快速成型是层堆积成型,成型......
研究和分析了光固化成形件台阶效应产生的原因以及对制件尺寸精度的影响,提出了根据表面几何特征进行相应的光斑补偿的方法.利用该......
为减小快速成型制造中台阶效应对制件精度的影响，从原理上对台阶效应存在的数学原理、导致制件精度的损失、成型件表面及形状的影响......
利用三轴熔积成形方法加工表面曲率变化较大的零件时，零件表面台阶效应明显，甚至会失去自支承，导致流淌。为了提高熔积成形技术对此类......
本文设计了计及特性阻抗不连续性的两频两节及三频三节变换器.基于理想传输线模型和微带传输线理论,建立了计及微带线＂台阶＂效应的设......
分析了快速成型技术中数据处理过程出现的台阶效应、STL逼近误差的来源及其对快速成型制造的影响,并就减小这些误差的国内外研究现......
目的为提高快速成型的精度,研究降低熔融沉积工艺中产生台阶效应造成的误差的措施.方法分析了熔融沉积成形过程中影响误差的因素,......
提出了一种考虑台阶效应的四频功率分配器的新分析设计方法,它以遗传算法为基础。根据理想传输线模型,四频等分Wilkinson功分器主......
阐述了一种基于STL文件进行自适应切片的有效方法,以减少台阶效应对成形零件各种性能的影响.利用零件STL文件中小三角片法向量,计......
长轴类零件感应加热淬火中,用连续加热淬火遇到台阶处会有台阶效应,影响淬火质量,我们采用预热法可解决。事中以后桥半轴为例说明......
为了减小快速成型数据处理中的台阶效应,提高成型件的表面精度,提出了基于布尔运算的层厚细分方法。该方法通过二维相邻层轮廓数据......
针对快速成型时采用逐层叠加制造的基本思想，对成型时的台阶效应引起的正偏差进行了分析计算，得出了影响该误差的因素及其误差曲线图......
在快速成型技术中,以STL模型为基础的分层制造工艺存在台阶效应,台阶效应影响制造零件的尺寸精度和表面粗糙度。为了减小分层制造......
模型的分层是3D打印前处理的一个重要环节,针对目前分层算法效率低、不能有效保留模型细微特征的问题,提出了一种新的基于STL模型......
熔融沉积制造工艺中,三维模型的分层处理是造成台阶效应的直接原因.台阶效应会降低零件的表面质量.减小台阶误差的传统方法是减小......
由于切片层有一定厚度，台阶效应和小特征遗失等快速成形技术重要尺寸误差源。针对ＬＯＭ型快速成形中切片层厚度不变的特点，提出了三种提高......
在水系沉积物地球化学测量的数据处理中,地质体不同所导致的地球化学背景差异往往影响异常圈定的准确度,使其更容易产生非矿异常,......
陶瓷铸型是制造空心叶片的核心，相对于熔模铸造主流技术，基于光固化成型技术的一体化陶瓷铸型制造方法具有显著的优势：周期短、成本低......
喷管内型面由不同材料对接而成,对接面处不可避免地会出现烧蚀台阶。本文对喷管的烧蚀台阶现象进行分析,说明了烧蚀台阶的成因和不......
文章通过对两款切片软件(Cura和Simplify3D)的工艺路径规划研究,发现虽然两者有不同的填充方式,但均采用了复合填充的方式,能够融......
由于台阶的出现,应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应管(pMOSFET)的栅电容特性与体Si器件的相比呈现出很大的不同,且受沟道掺杂的......
