应变层相关论文
利用分子束外延技术研制出了高质量InGsAs/GaAs应变量子阱材料及量子阱激光器.脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效......
对处于不同应变状态下的超晶格(GaP)_1(GaAs)_1(001),(InP)_n(InAs)_n(001)(n=1,3)的电子结构进行了从头自洽计算。采用冻结势方法分析了超晶格各分子层的价带顶E_v和平均键能E_m的行为,对以......
采用内部求和空d轨道处理下的线性丸盒轨道方法,对以InAs为衬底和以GaAs为衬底以及InAs层和GaAs层自由形变三种不同的应变状态下的超晶格(InAs)n/(GaAs)n(00l),(n=1,2,3,4,5)的电子结构进......
简述了SiGe/Si异质结器件的基本原理,锗硅合金的基本性质,及发展现状。
The basic principle of SiGe / Si heterojunction device, the ba......
提出了线性缓交SIGeHBT的基区滚越时间τb的解析模型,基于该模型研究了基区渡越时问的低温行为。研究发现,τb随温度的降低而迅速减小,虽然大的......
在Si1-ZGeZ基区HBT中,Ge组份Z缓变(进而能隙缓变)产生自建电场,基区杂质浓度向发射极侧的减小产生了阻滞电场,基区杂质浓度向集电极侧的减小产生了加速......
本文提出了应变Si1-xGex价带结构的等价有效简并度模型.借助这个模型,计算了赝晶生长在(100)Si衬底上的P型Si1-xGex应变层的重掺杂禁带窄变,发现当杂质浓度超过......
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)和二次液相外延(LPE)生长的InGaAs/GaAs应变层量子季阱激光器深中心行为.在MBE激光器的n-AlxGa1-xAs组分缓变层和限制层里,除众所......
利用喇曼散射谱研究了Si1-xGex/Si合金型超晶格的结构热稳定性.对超晶格中折叠声学模和各类光学模的散射谱所作的定量分析表明:在800℃下退火10分钟,超......
结合应变异质界面能带排列的平均键能理论和形变势方法,确定了三种不同衬底上生长的Si/Ge系统在(001)和(110)两种不同晶面上的价带能量不连续值(E_v)得出......
针对应变Si_(1-x)Ge_x的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线......
采用LMTO能带从头计算方法,计算了闪锌矿(立方)结构AIN和GaN的静态性质;用平均键能方法,预言了AlN与GaN自由应变生长、以AlN为衬底和以G......
在应变异质结价带偏移从头算赝势法的理论计算中,建议一种以平均键能为参考能级的△E_v 值理论计算方法,该方法在以 Si 为衬底、以......
报导了脊形波导InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器的特性和实验结果。激光器阈值电流最低为9mA,典型值为15mA,线性输出光功率大于120mW,微分量子效率典型值为60%(镀高反......
本文报导了用计算机控制的衍射仪(CuKα辐射)测量的金属有机化学汽相沉淀(MOCVD)方法生长的Ⅱ-Ⅵ族应变层超晶格的X射线衍射曲线,观察到了超晶格结......
本文介绍了电子束蒸发二氧化硅薄膜的工艺方法,影响蒸发二氧化硅薄膜质量的因素,以及用于Si/Si1-xGexHBT的结果。
This article describes the pro......
研究了p型Si1-xGex应变层中补偿浅能级杂质(P、As、Sb)的低温陷阱效应。研究发现,1)三种补偿浅能级杂质P、As、Sb相比较,Sb的陷阱效应最小,As的最大;2)Ge组份x越大,低温陷......
本文报道了分子束外延生长的应变层超晶格Zn0.77Cd0.23Se/ZnSe和ZnSe/ZnS0.12Se0.88的光致发光谱.分析了影响激子线型展宽的主要因素.定量表征了4.4K下合金涨落和阱厚涨落对线型......
用L-K有效质量理论研究[001]方向生长的(Znse)n/(ZnS)m应变层超晶格的电子结构和光吸收系数.结果表明,光吸收系数与附宽和垒厚有关.
The ele......
利用300keV的P+离子对InGaAs/InGaAsP应变层多量子阱(MQW)激光器外延结构实施浅注入,经H2/N2混合气氛下的快速退火,结构的光致发光(PL)峰值波长蓝移了76nm,所作宽接触激光器的激......
采用基于LMTO-ASA的平均结合能计算方法,研究了在ZnSxSe1-x衬底上沿(001)方向外延生长的应变层异质结ZnS/ZnSe的价带带阶值。研究表明,应变的结果使价带带阶随衬底组......
采用基于原子球近似下线性Mufin-Tin轨道(LMTO-ASA)的平均键能计算方法,研究了以ZnSxSe1-x为衬底,沿(001)方向外延生长的应变层异质结ZnS/ZnSe、ZnS/ZnSxSe1-x和ZnSe/ZnSxSe1-x的价带带阶值ΔEv(x).研究表明,ΔEv(x)值随......
用分子束外延技术在p型Si衬底上生长成了Si/Si1-xGex应变层超晶格和掺铒(Er)SiOx外延层,用无接触法测量了它们的横向磁阻,并且用拟合方法由横向磁阻计算了它......
采用有效质量理论6带模型,计算了应变层超晶格GaNAlN(001)的电子结构,具体计算不同应变状态的价带子能带色散曲线、光吸收曲线。分析了应变状态......
Si/Si1-xGex异质结系统已成功地应用于高速数字、高频微波和光电器件中。对这些器件进行理解和分析时,往往受到应变Si1-xGex材料参数缺乏的制约。本文建......
本文采用混合基矢从头赝势能带计算方法研究了(001)界面应变对GaN、AlN应变层的能带、平均键能Em和带阶参数Emv的影响.借助于带阶参数形变势的计算,预......
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DaimlarChryslerResearchCenterandUmiversityofUlm首先报道了在GaAs衬底上生长应变In 0 52Ga 0 4 8AsPIN二极管 ,并可用作开关MMIC。由于其底的开启电压和低的开启电阻 ,InP基InGaAsPIN二极管
DaimlarChrysler......
本文利用表面应强化(喷丸)处理的方法来改善奥氏体不锈钢(1Crl8Ni9Ti)和马氏体不锈钢(Cr17Ni2)的SCC倾向性,其主要结果如下: 1. 表......
研究了软化和硬化材料表面喷丸应变层内的组织结构。结果表明,这种应变并不是一种简单的单凋塑性应变,而是循环塑性应变。循环应变......
一、前 言 表面完整性系指材料表面机械加工应变层内的残余应力状态、光洁度以及加工纹路走向等。关于表面完整性与材料疲劳性能......
通过试验得出了不同喷丸工艺对金属疲劳强度的影响。用喷丸强化处理的连杆,可得到良好的效果。
The effect of different shot pe......
积累区MOS电容线性度高且不受频率限制,具有反型区MOS电容不可比拟的优势.本文在研究应变Si NMOS电容C-V特性中台阶效应形成机理的......
通过对InxGa1-xAs泊松比的两级优化,讨论了泊松比取值对InxGa1-xAs/GaAs异质结应变层中组分分析的影响。以PB模型计算的临界厚度为......
在863计划资助下,集成光电子学国家重点实验室肖建伟、陈良惠、徐俊英等研制成功低阈值电流量子阱激光器(高技术通讯,本期18页),并......
随着铁路运输行业向高速化和重载化发展,轮轨系统面临的问题也日渐突出。钢轨磨耗问题不仅造成车辆维护成本的增加,而且还会恶化轮......
近年来,铁电薄膜制备技术的迅速发展使得人工介电超晶格的生长成为现实。简要介绍了有关介电多层膜和人工介电超晶格的制备、结构和......
本文综述了Si1-x-yGexCy合金的研究进展,包括合金的应变补偿效应、微观结构、能带结构和光电特性等
This paper reviews the research progress......
界面的原子结构特征对材料的性能有很重要的影响.本文介绍用选区电子衍射及高分辨电子显微术研究半导体超晶格、金属多层膜、陶瓷......
GaAs/Si弹性形变及其应力的理论模型钱文生,李明祥,夏海良,魏同立(东南大学微电子中心南京,210018)在GaAs/Si技术中,始终存在3个主要问题,即晶格失配、热膨胀系数......