逆导型IGBT（RC-IGBT）是一种新型的IGBT器件，它在IGBT芯片结构中集成了一个快恢复二极管（FRD），使得其具有成本低、封装工艺简单、功率密度......

逆导型IGBT（RC-IGBT）是一种新型功率半导体器件，实现了IGBT和续流二极管的片内集成，具有体积小、成本低、功率密度高、正温度系数、良......

新型的电场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-IGBT)改善了传统穿通型(PT)IGBT性能上的不足,但对于1 200 V以下器件需要超薄片加工。为打......

由于逆导型IGBT(RC-IGBT)具有尺寸小、功率密度高、成本低等诸多优点,因此引起人们的广泛关注和研究。侧重适用于电网应用的高压器......

提出了一种可应用于高压绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的新型阳极短路IGBT结构。在n型截止区设计一个p型阻挡层,增加了集电极区域......

随着薄片工艺等制造技术的发展,在场阻止型的绝缘栅双极型晶体管(Field-Stop Insulated Gate Bipolar Transistor, FS-IGBT)的背面......

提出了一种新型的RC-IGBT器件,相比于常规RC-IGBT,新型的RC-IGBT在集电极侧引入了一个类似于栅极的多晶硅沟槽结构,不同之处是沟槽......