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圆柱形围栅相关论文
一种围栅金属氧化物半导体场效应管阈值电压模型
针对深亚微米金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)多晶硅耗尽效应加剧问题,提出了一种全耗尽圆柱形围栅MOSFET阈值电压解析模型.通过求解......
期刊
阈值电压
圆柱形围栅
多晶硅耗尽
表面势
threshold voltage
cylindrical gate
polysilicon depletion
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