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场阈值电压相关论文
EEPROM工艺中场开启电压的特殊要求与对策
EEPROM要求场开启电压≥20V,P-N结击穿电压也要求≥20V,前者需提高场区杂质浓度,而后者则需要降低场杂质浓度,通过工艺模拟和实验找到了一种化解这个矛......
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击穿电压
Memory EEPROM Semiconductor process Field threshold voltag
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