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期刊论文
EEPROM工艺中场开启电压的特殊要求与对策
EEPROM工艺中场开启电压的特殊要求与对策
来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:clxzzx
【摘 要】
:
EEPROM要求场开启电压≥20V,P-N结击穿电压也要求≥20V,前者需提高场区杂质浓度,而后者则需要降低场杂质浓度,通过工艺模拟和实验找到了一种化解这个矛盾的对策,首先根据P-N结击穿电压的要求确定场区
【作 者】
:
吴正立
严利人
【机 构】
:
清华大学微电子学研究所
【出 处】
:
微电子学
【发表日期】
:
1996年4期
【关键词】
:
存储器
EEPROM
场阈值电压
击穿电压
Memory EEPROM Semiconductor process Field threshold voltag
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EEPROM要求场开启电压≥20V,P-N结击穿电压也要求≥20V,前者需提高场区杂质浓度,而后者则需要降低场杂质浓度,通过工艺模拟和实验找到了一种化解这个矛盾的对策,首先根据P-N结击穿电压的要求确定场区杂质浓度,继而大幅度调节场氧厚度,从而使二者都能满足要求。
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