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外延基区连接EBL结构相关论文
EBL结构SiGe HBT工艺分析及扭结效应研究
双层多晶硅自对准(DPSA)结构较高的外基区连接电阻已成为SiGe器件频率提升的重要限制因素,改进器件外基区连接工艺提高器件频率已......
学位
外基区连接电阻
最高振荡频率
外延基区连接EBL结构
扭结效应
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