最高振荡频率相关论文
磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有非常高的截止频率以及较高的击穿电压(相对Si/SiGe而言),适合于太赫兹单片集成电路的研......
金属器官的化学蒸汽免职(MOCVD ) 与一个新奇多级式的缓冲栈计划的介绍在 n 类型硅底层上种的变形 Al0.50In0.50As/Ga0.47In0.53As......
用解析的方法模拟了T＝300K和77K时，fT和fmax与集电极电流密度Jc的关系，在大电流下考虑了异质结势垒效应的影响。模拟结果和用数值方法......
毫米波AlGaN/GaN HEMT的应用进程中,器件的频率特性是至关重要的。其中,器件的电流增益截止频率fT和最高振荡频率fmax更是标志高频......
双层多晶硅自对准(DPSA)结构较高的外基区连接电阻已成为SiGe器件频率提升的重要限制因素,改进器件外基区连接工艺提高器件频率已......
器件采用了SiC衬底上生长的有GaN帽层的掺杂势垒AlGaN/GaN异质结构,Ti/Al/Au欧母接触,Ni/Au肖特基势垒接触,栅长为0.4μm的场调制......
叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺，给出其测试结果，最大跨导～157ms/mm，由S参数测量推出器件的截止频率f和最高振荡频率f分别为12GH......
采用基区及发射区自对准和空气桥技术,降低了SiGe异质结晶体管器件的基极电阻及集电极和基极之间的结电容,提高了SiGe异质结晶体管......
基于SOI技术原理，模拟仿真了SOI结构SiGe HBT的频率特性，并与相同条件下体SiGe HBT频率特性进行了比较分析。仿真结果显示，SOI结构中......
用电荷控制及热电子弹道运动模型计算ＩｎＡｓ／ＩｎＰ０．７Ｓｂ０．３热电子晶体管的截止频率ｆＴ及最高振荡频率ｆｍａｘ。结果表明，ｆＴｆｍａｘ分别达到２８０ＧＨｚ及６００ＧＨｚ。......
报道了利用南京电子器件研究所生长的蓝宝石衬底AlGaN／GaN异质结材料制作的HEMT，器件功率输出密度达4W／mm。通过材料结构及生长条件的......
太赫兹技术（300GHz～3THz）在射电天文、成像雷达以及高速通信等领域具有广阔的应用前景。磷化钢双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有高截......
对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性进行了模拟计算,分析了发射区、基区、集电区的一些材料参数对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频......
提出一种新结构的微波功率SiGe异质结双极晶体管(SiGe HBT)，该结构通过在传统SiGe HBT的外基区下的集电区中挖槽并填充SiO2的方法来......
用解析的方法模拟了Ｔ＝３００Ｋ和７７Ｋ时，ｆτ和ｆｍａｘ与集电极电流密度Ｊｃ的关系，在大电流下考虑了异质结势垒效应的影响，模拟结果和用数值方法以及实验所得到的......
提出了一种功率AlGaAs／GaAsHBT的自加热温度模型，讨论了在大电流条件下，器件晶格温度升高和基区扩展效应对HBT器件频率特性的影响，并对......
采用基区及发射区自对准和空气桥技术,降低了SiGe异质结晶体管器件的基极电阻及集电极和基极之间的结电容,提高了SiGe异质结晶体管......
为了获得T型栅应变高电子迁移率晶体管(m HEMT)器件,利用电子束(Electron beam,E-beam)光刻技术制备了210 nm栅长,减小m HEMT器件......
在分析影响fmax的因素后,导出了fmax与载流子迁移率的关系式,指出fmax不仅与少子迁移率有关,也与多子迁移率相关,是一种综合效应。......
在微波毫米波应用中,提高AlGaN/GaN HEMT器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax是研究工作中的重中之重,而提升器件频率特性最简单有......
