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GaN材料作为一种第三代半导体材料,具有宽禁带、高电子饱和漂移速度和高击穿场强等优点,目前被广泛用于研制各种光电器件和高温、......
SiC作为一种宽禁带半导体材料,在高温、高压和大功率应用领域具有巨大的应用潜力。首先对4H-SiC的材料性能、外延生长模式、掺杂浓......
对4H-SiC外延表面缺陷的种类、形貌特征和形成机理进行了简要介绍。结合外延表面缺陷形成机理和实际外延生长经验,对不同种类表面......
外延雾表面是一种常见的外延缺陷表现形式,在外延淀积后的硅片上,经常出现密集分布的雾缺陷,在器件工艺中,雾缺陷的存在会影响工艺......
本文研究了多晶硅在双极器件上的应用。制作了多晶硅二极管,它的正向导通电压只有0.3-0.5伏;用多晶硅隔离代替通常的pn结隔离做出......
