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AlxGa1-xN材料具有带隙可调（3.4 eV～6.3 eV）、高载流子迁移率等特点,使用Si对AlxGa1-xN材料进行掺杂,可以将AlxGa1-xN晶体变为以电子......
利用吸收光谱和光致发光（PL）光谱研究了氢化物气相外延（HVPE）法生长的GaN厚膜材料发光特性。研究发现当激发脉冲光源的重复频率较低时，P......
采用射频等离子体辅助分子束外延（RF plasma-assistedMBE）系统生长非故意掺杂GaN和P型GaN，并且通过室温和低温光致发光（PL）谱测试研究了......
利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2inch(5.08cm)Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之......
