多晶发射极相关论文
本文介绍一种多晶发射极微波功率SiGe/Si HBT.该器件采用清华大学微电子学研究所拥有自主知识产权的SGE500 UVC/CVD设备,外延均匀G......
在大量工艺优化的基础上，在国内首先成功开发出5英寸单晶发射极SiGeHBT器件工艺(即SiGF/SiGG)和多晶发射极SiGeHBT器件工艺(即SiGH)......
随着现代移动通信以及微波通信的发展，人们对半导体器件的高频以及低噪声等性能要求日益提高。传统的硅材料器件已经无法满足这些性......
研制了一种平面集成多晶发射极SiGeHBT，并对SiGe HBT设计进行了研究分析。给出了双极晶体管的结构和关键工艺参数，并进行了流片测试，......
在现代比较先进的Bipolar技术中，一般采用多晶发射极结构，这种结构可以提高双极管放大倍数和频率响应特性，因此，这种结构得到广泛的应......
文章首先详细研究了D类音频放大器和相关的BiCMOS的基本原理和结构，并在此基础上综合现阶段国内市场对D类功率放大器的需求，开发了基......
高频双极晶体管由于具有高频、电流放大等特性,已广泛应用到放大器电路、电动机、高频雷达、航空航天工程等领域。对目前典型的高......
