多晶硅刻蚀相关硕士博士期刊学术论文

多晶硅刻蚀相关论文

通过结合发光显微镜(EMMI)测试和poly-edge电容测试结构很好地控制了多晶硅刻蚀时间,避免了栅极氧化膜的早期失效.从栅极氧化膜击......

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通过结合发光显微镜（EMMI）测试和poly-edge电容测试结构很好地控制了多晶硅刻蚀时间，避免了栅极氧化膜的早期失效．从栅极氧化膜击穿电......

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探讨美国LAM2300 E4（平台型号）型机台多晶硅Poly干法刻蚀工艺下易发缺陷造成低良率问题的改善方案。该干法刻蚀工艺由于刻蚀后晶圆表......

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多晶硅刻蚀工艺窗口 FFU

高频双极晶体管由于具有高频、电流放大等特性,已广泛应用到放大器电路、电动机、高频雷达、航空航天工程等领域。对目前典型的高......

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刻蚀缺陷是半导体制程中最关键和最基本的问题,理想的等离子体刻蚀工艺过程中,刻蚀气体必须完全参与反应而形成气态生成物,最后由......

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VDMOS器件是场效应晶体管之一,具有稳定电路的性质,由垂直双扩散金属-氧化物半导体组成,是由电压控制的器件。工作原理是依靠栅极......

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