室温探测器相关论文
Top-illuminated metamorphic InGaAs p-i-n photodetectors (PDs) with 50%cut-off wavelength of 1.75 μm at room temperature......
碲锌镉(CdZnMTe，简写为CZT)为Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料，具有闪锌矿结构，是一种重要的半导体材料。碲锌镉晶体电阻率高、原子序数大、......
CdTe和CdZnTe是X射线和γ射线探测器最理想的材料.钝化可以降低CdTe和CdZnTe的表面漏电流,提高其能量分辨率.本文综述了CdTe和CdZn......
随着X荧光检测方法的广泛应用，作为核心的探测器性能显得尤其重要。国内研制的Si（Li）X射线探测器，部分性能指标达到并超过了国外水平，为......
碲锌镉(CZT)晶体由于原子序数高、禁带宽、密度大,制成低能γ射线和X射线探测器不需液氮冷却就能得到相当好的能量分辨率,且有相当......
介绍了昆明物理所对室温长波Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光导探测器研究的进展情况，采用ＭＣＴ体晶材料已制备出室温８￣１４μｍ光导探测器，其λｃ＝１１．６μｍ，Ｄ＝１．１６×１０＾７ｃｍＨｚ＾１／２／Ｗ。......
用熔体外延法(ME)生长出厚度达到100μm的InAsSb外延层,截止波长进入8～12μm波段。测量结果表明,InAsSb材料具有良好的单晶取向和结......
红外辐射一般可以分为不同的范畴,即从0.8μm到3μm的近红外区域、从3μm到5μm的中波红外区域以及从8μm到12μm的长波红外区域。......
TlBr单晶材料具有探测器高的阻止本领、宽禁带、高电阻率、高密度、能量吸收深度较小等特点,是目前理想的高能X和γ射线探测用半导......
