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功率半导体器件作为提升电能利用效率的关键之所在,将为我国经济插上绿色环保、高效智能的翅膀飞向世界之巅。SOI LIGBT凭借更强的......
随着节能减排的迫切需求,如何高效化地使用电能越来越被重视,功率半导体器件作为电能处理和转换的枢纽,在电能的高效率转化中起着......
晶闸管类型器件由于其自身的PNPN结构特点,具有很强的电流能力、很低的导通压降(VON)等特性,使其成为大功率电力电子领域非常引人......
被称为电力电子装置和系统之核的功率半导体器件IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)具有高输入阻抗、低驱动功率、高击穿电......
IGBT作为电力电子领域的核心功率器件之一,具备驱动功率低,输入电阻高、耐压能力强、导通压降低及电流处理能力强等一系列优点。但......
众所周知，绝缘栅双极性晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）具有驱动功耗低、导通能力强、热稳定性好、耐压特性高和安全......
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）具有高速度、低功耗等优点,是电力电子系统中的核心器件。横向IGBT器件（Lateral IGBT,LIGBT......
在功率半导体器件领域,由MOS栅控的一类器件称为全控型器件,其具有高输入阻抗、易驱动、驱动功率小等优点。其中LIGBT是横向功率MO......
逆阻型(Reverse Blocking,RB)IGBT具有双向耐压能力,在T型逆变器、矩阵逆变器应用中可降低系统元件数、损耗和冗余度,有效提高系统......
