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少子暗电流相关论文
Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件G-V特性
基于G-V关系分析了Hg_(1-x)Cd_xTeMIS器件的少数载流子暗电流机制.对于N型Hg_(1-x)Cd_xTeMIS器件,当温度T130K时则是耗尽区的产生-......
期刊
器件
G-V
Hg
x)Cd_xTe MIS
暗电流
G-V特性
禁带
少子暗电流
少子
反型层
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