本文讨论了以射频磁控溅射为主要工艺制备的TiO2/SiOxNy/SiO2结构高k栅介质。文中重点讨论了不同成分界面SiOxNy薄膜作用下,栅介质......

以射频磁控溅射为主要工艺，制备了TiO2／SiO2和TiO2／SiOxNy两种层叠结构栅介质。对C-V特性和漏电特性的测试表明，SiO2和SiOxNy等界面层......