带间光跃迁相关论文
宽禁带Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体InxGa1-xN/GaN异质结构，由于在光电子学和电子学的器件中有着广阔的应用而倍受人们的关注。实验上已经证......
在最近几年里,宽禁带纤锌矿半导体ZnO由于其在蓝光和紫外区域光器件的应用越来越受到人们的关注,而且在短波光学装置方面已成为最......
在最近几年里，宽禁带纤锌矿半导体ZnO由于其在蓝光和紫外区域光器件的应用越来越受到人们的关注，而且在短波光学装置方面已成为最佳......
在有效质量近似下,运用变分方法,考虑到量子点内电子和空穴的三维束缚以及由压电极化和自发极化所引起的内建电场,对圆柱型耦合GaN......
近年来,宽禁带直接带隙半导体异质结构InxGa1-xN /GaN由于在电子及光电子器件方面的应用而备受关注,如高亮度的兰、绿色发光二极管......
采用紧束缚方法计算了生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１）衬底上的应变ＧａＡｓ层带间光跃迁的振子强度以及三次非线性光极化率，讨论了振子强度及三次非线性光极化率随衬......
在１８－３００Ｋ温度范围内，测量了ｘ＝０．２和０．５两种不同结构的ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ应变层多量子阱的光电压谱，观测到ＨＨ１，ＬＨ１，ＨＨ２等激子光吸收跃迁信号以及ＴＯ声子辅助ＨＨ１激子光吸收跃迁信号。低温......
利用有效质量近似和变分原理，对直接带隙Ge／Si1-xGex量子阱中激子态和带间光跃迁进行研究．结果表明：直接带隙Ge／Si1-xGex量子阱中带间光......
低维半导体物理因其独特的物理性质在最近几十年飞速发展，它不仅推动了电子与光电子等物理学科的发展，而且推动了整个世界的经济、金......
