InGaN量子点相关论文
本文采用M0VPE技术生长了InGaN量子点并进行了评测。其中,紫外量子点利用了交替通断源的方法,而绿光量子点利用了生长中断的方法。......
多层InGaN量子点作为有源区是解决绿光发光二极管(LED)量子效率低的有效手段,而GaN盖层对于多层InGaN量子点的外延生长有非常重......
我们用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在c面蓝宝石衬底上生长的GaN 表面生长了发光波段在绿光范围的氮化镓铟(InGaN)量子点(QD......
该文围绕InGaN量子点的MOCVD生长及及性质展开了大量的研究.首先,用SiH作为抗表面活化剂减小GaN薄膜的表面能,从而使InGaN在其表面......
该论文的工作分成两部分:一是用MOCVD在R面蓝宝石上生长A面GaN材料,分析和研究外延材料的性能,二是研究GaN基发光二极管的光电性能......
近年来,三元半导体合金InGaN由于在光电器件(高亮度的蓝、绿光发光二激管、激光二极管)上的应用而备受人们的关注.由于InN和GaN之......
近年来,宽禁带直接带隙半导体异质结构InxGa1-xN /GaN由于在电子及光电子器件方面的应用而备受关注,如高亮度的兰、绿色发光二极管......
紫外波段的AlGaN发光器件对于白光照明、空气和水的净化、消毒杀菌、高密度存储等领域意义重大,因此对AlGaN发光器件的研究成为当下......
InGaN半导体材料具有带隙宽度通过改变In组分可调的特点,被广泛应用在新一代光电子器件中,但绿光LED依然存在"绿隙(green gap)"问......
GaN基LED作为第三代光源,被广泛应用在显示、固态照明等领域,经过多年的快速发展也已经实现了商业化。但是LED的发展仍然面临着被......
InGaN量子点与GaN量子点对于提高可见光与紫外区域的发光器件(包含发光二极管和激光二极管)的效率和性能具有重要意义,同时也是制备量......