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目前，工业生产中集成电路的特征尺寸已经减小到90nm，MOSFET的栅氧化层厚度也减小到2nm以下。由于工作电压并没有随器件特征尺寸等比......
研究了不同厚度的超薄栅1．9nm到3．0nm器件在恒压应力下的栅电流变化．实验结果显示应力诱导漏电流包括两个部分，一部分是由界面陷阱辅助......
