超薄栅氧化层相关论文
随超大规模集成电路的发展,栅氧化层的质量在器件和电路的可靠性方面起非常重要的作用.应力诱导漏电流(SILC)已经成为评价栅氧化层......
本文着重探讨了用于90纳米技术的等离子氮化超薄栅氧化层(Plasma nitridated Oxide)的特性.研究了超薄栅氧化层(EOT=1.5纳米)中氮......
本文讨论了超薄栅氧化层和厚氧化层在电学特性上的差异,并分析了导致这些差异的原因.通过本文的可以看出,超薄栅氧的的研究需要用......
在该论文中,按照缺陷产生、栅氧退化和击穿的研究思路,我们主要聚焦研究了超薄栅氧化层可靠性中四方面的问题:超薄栅氧化层中缺陷......
目前，工业生产中集成电路的特征尺寸已经减小到90nm，MOSFET的栅氧化层厚度也减小到2nm以下。由于工作电压并没有随器件特征尺寸等比......
该文对超薄栅氧化层经时击穿(TDDB)击穿机理和可靠性表征方法以及深亚微米MOS器件热载流子效应(HCE)进行了系统研究.主要研究结果......
对注 F、注 N以及先注 N后注 F超薄栅氧化层的击穿特性进行了实验研究 ,实验结果表明 ,在栅介质中引入适量的 F或 N都可以明显地提......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
研究了超薄栅氧化层(≤3.0nm)软击穿(softbreakdown,SBD)后的栅电流和衬底电流特性.提出了一个基于类渗流导电的SBD后栅电流和衬底......
实验发现动态电压应力条件下,由于栅氧化层很薄,高电平应力时间内隧穿入氧化层的电子与陷落在氧化层中的空穴复合产生中性电子陷阱......
对含F超薄栅氧化层的击穿特性进行了实验研究.实验结果表明,在栅介质中引入适量的F可以明显地提高栅介质的抗击穿能力.分析研究表......
超薄栅氧化层的可靠性是ＭＯＳ集成电路中最重要的问题之一。文中综合分析了超薄栅氧化层击穿的物理模型，并对其击穿机理进行了详细的描述......
研究了含N超薄栅氧化层的击穿特性。含N薄栅氧化层是先进行900℃干氧氧化5min，再把SiO2栅介质放入1000℃的N2O中退火20min而获得的，......
随着器件尺寸的迅速减小，直接隧穿电流将代替FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素。根据比例差值算符理论和弛豫谱技术，针对直接隧......
对注F、注N以及先注N后注F超薄栅氧化层的击穿特性进行了实验研究，实验结果表明，在栅介质中引入适量的F或N都可以明显地提高栅介质的......
提出了一种新的基于电荷泵技术和直流电流法的改进方法，用于提取LDD n—MOSFET沟道区与漏区的界面陷阱产生．这种方法对于初始样品以......
通过测量界面陷阱的产生，研究了超薄栅nMOS和pMOS器件在热载流子应力下的应力感应漏电流(SILC)．在实验结果的基础上，发现对于不同器件......
研究了在恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性．软击穿时间由衬底电流随时间的弛豫特性和器件输出特性测量时监测的衬底......
基于一阶速率方程，讨论了恒定电压应力下应力电流的饱和行为，通过对应力电流的拟合，发现存在三类缺陷产生的前身，更进一步的实验显示，在......
分析了超薄栅氧化层击穿的碰撞电离模型，并对空穴击穿机理进行了详细描述，为超栅氧化层的击穿机理的深入研究及超薄栅氧化层击穿模型......
软击穿是与氧化层质量密切相关的一种新的击穿形式.当氧化层厚度小于5 nm时,软击穿效应显著,是超薄栅氧化层的主要失效机理.通过对......
研究了90nm工艺下栅氧化层厚度为1.4nm的n-MOSFET的击穿特性,包括V-ramp(斜坡电压)应力下器件栅电流模型和CVS(恒定电压应力)下的T......
本文提出了一种在线表征负偏压温度不稳定性（NBTI，negative bias temperature instabi1ity）退化的方法——直接隧道栅电流表征法（DTGCM......
集成电路特征尺寸一直是衡量电路性能与功耗的重要标志。当特征尺寸到达65nm时,随之带来的可靠性问题越来越引发关注。超薄栅介质......
研究了恒压应力下超薄栅氧化层n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)软击穿后的导电机制.发现在一定的栅电压Vg范围内,软......
CMOS技术是现代集成电路的主流技术。在过去的将近20年里,MOSFET一直遵循摩尔定律的发展,特征尺寸不断缩小,并且不断逼近其物理极......
