本文介绍了NiW基带上YBa2Cu3O7-x(YBCO)涂层导体的SmBiO3/NiO复合缓冲层在空气中的外延生长.采用表面自氧化外延(SOE)技术在Ni-5％W......

企业技术创新壁垒是企业技术创新扩散过程中的主要障碍性因素。文章首先分析了企业技术创新中的壁垒形成机理，进而以混沌情景预测方......

铝由于跟硅一起加工的相容性,现在被用作大规模集成电路的金属化材料,铜由于具有低的体电阻率和优良的电迁移阻抗,似乎更好一些。......

技术创新扩散的原动力始于企业对超额利润的追逐,但扩散壁垒的存在又限制了技术创新的扩散。本文认为微观层面的技术创新扩散壁垒......