采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟 (In P)熔体 ,并利用液封直拉法 (LEC)生长出了 1 0 0 mm In P掺硫单晶材料......

本文详细研究了扫描光荧光谱在半绝缘砷化镓材料与器件性能关系中的应用，实验结果表明ＳＩ－ＧａＡｓ单晶的ＰＬ Ｍａｐｐｉｎｇ均匀性对器件性能有着至关重要的影响......