论文部分内容阅读
本文详细研究了扫描光荧光谱在半绝缘砷化镓材料与器件性能关系中的应用，实验结果表明ＳＩ－ＧａＡｓ单晶的ＰＬ Ｍａｐｐｉｎｇ均匀性对器件性能有着至关重要的影响，所以在制备器件选择优势的ＳＩ－ＧａＡｓ材料时，除了电阻率，迁移率，位错密度，碳含量，ＥＬ２浓度及其均匀性外，ＰＬ Ｍａｐｐｉｎｇ也是表征材料质量的一个重要参数。