抛光浆料相关论文
随着ULSI的特征尺寸减小，铜成为深亚微米技术中(0.18um及以下)硅材料上的布线金属，钽阻档层是防止铜向硅及介质扩散的最佳选择。铜CM......
通过回顾化学机械抛光技术的发展历史,概述了化学机械抛光作用机制与实际应用情况,着重阐述了几种重要抛光浆料(如CeO2、SiO2、Al2......
对目前超大规模集成电路钨插塞化学机械全局平面化（CMP）的原理及工艺进行了分析，对钨抛光浆料的组成成分进行了研究，开发了一种能够适......
在化学机械抛光过程中,抛光液的流变性能起到至关重要的作用。本文利用Haake流变仪研究了水基纳米CeO2悬浮液在不同pH值、CeO2颗粒......
以化学机械全局平面化（CMP）动力学过程和机理为基础，在抛光浆料中采用粒径为15～20nm的硅溶胶作为CMP磨料，保证了高的抛光速率（200nm／min），同......
概述了化学机械抛光作用机制，着重阐述了3种常见衬底（α—Al2O3，SiC，Si）的化学机械抛光现状，主要从抛光工艺参数和抛光液组成（不同磨料、......
目的制备分散稳定性良好的α-Al2O3纳米粒子抛光浆料,提高对蓝宝石的化学机械抛光性能。方法将α-Al2O3分散在硅溶胶、氧化铈溶胶......
1 前言化学机械抛光(CMP)是广泛使用的硅晶片平整技术,它已成为制造0.35(m高级电路或薄于0.25mm半导体器件的主流方法.......
化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)作为目前能够在半导体制造过程中提供全局平坦化的一种新技术,将随着半导体技......
通过回顾化学机械抛光技术的发展历史,概述了化学机械抛光作用机制与实际应用情况,着重阐述了几种重要抛光浆料（如CeO2、SiO2、Al2O......
化学机械抛光（CMP）作为目前唯一可以实现全面平坦化的工艺技术,已被越来越广泛地应用到集成电路芯片、计算机硬磁盘和光学玻璃等表面......
