噪声问题是影响CMOS图像传感器图像的最主要问题之一,随着集成电路制造工艺技术的发展和不断进步,源极跟随器(SF)晶体管的栅极面积......

介绍了在宽禁带半导体６Ｈ－ＳｉＣ材料上制作的反型沟道和掩埋沟道栅控二极管及ＭＯＳＦＥＴ。器件的制作采用了热氧化和离子注入技术。因为６Ｈ－ＳｉＣ禁带宽度为３ｅＶ，用ＭＯＳ电......