介绍了在宽禁带半导体６Ｈ－ＳｉＣ材料上制作的反型沟道和掩埋沟道栅控二极管及ＭＯＳＦＥＴ。器件的制作采用了热氧化和离子注入技术。因为６Ｈ－ＳｉＣ禁带宽度为３ｅＶ，用ＭＯＳ电......

本文提出全新的半经验应变Si NMOS反型沟道电子迁移率模型，此模型考虑了晶格散射，离化杂质散射，表面声子散射，界面电荷散射以及界面粗......