整流性质相关论文
在高真空系统中，将C/n-GaAs和C/p-GaAs两种接触。电学测量表明两种接触均是强整流结，在偏压为±1V 时，它们的整流比分别大于10和10，以......
本文用完全自洽的非平衡格林函数方法结合密度泛函理论，研究了以硫醇为末端的寡聚苯乙炔撑分子异种电极分子结的整流性质，包括分子长......
等离子体聚合膜多为具有高电阻的绝缘体。但是,近年来的研究结果表明,选择合适的单体及采取一些措施,可使等离子体聚合膜从绝缘体......
在高真空系统中 ,将C70 膜淀积在 (1 0 0 )晶向n型和p型GaAs衬底上 ,形成固体C70 n GaAs和C70 p GaAs两种接触。电学测量表明两......
在高真空系统中 ,将 C70 膜淀积在 n-和 p- Ga As(10 0 )衬底上 ,制成 C70 / n- Ga As和 C70 / p- Ga As两种接触 ,并对它们的电学......
利用脉冲激光沉积技术在掺Nb的SrTiO3衬底上制备了氧非正分La0.9Ba0.1MnO3-δ/SrTiO3:Nbp-n异质结.在20—300K这一较宽的温度范围......
在高真空系统中，将Ｃ７０膜淀积在（１００）晶向ｎ型和ｐ型ＧａＡｓ衬底上，形成固体Ｃ７０／ｎ－ＧａＡｓ和Ｃ７０／ｐ－ＧａＡｓ两种接触。电学测量表明两种接触均是强整流结，在偏压为±１Ｖ时，它们的整流比......
利用磁控溅射技术在YBCO上沉积ZnO薄膜，获得ZnO／YBCO异质结。测量其不同温度下的电学性质，样品显示良好的整流特性，并且随着温度的升高......
由于稀土合金锰氧化物在电子输运和自旋磁性等方面具有优异特性，人们对其潜在的应用寄予了很高的期望．近5年来，人们发展了一种新型的p......
