不同栅介质工艺对4H-SiC MOS电容可靠性的影响

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本文研究了氮掺杂、磷掺杂、磷掺杂与Si_3N_4复合介质相结合三种不同栅介质工艺对SiC MOS电容可靠性的影响。通过I-V特性测试及经时击穿(TDDB)测试评价不同栅介质工艺的SiC MOS电容可靠性。结果表明,将磷掺杂工艺和SiO_2/Si_3N_4复合栅介质结合,能有效提升栅介质的绝缘性和寿命,其中磷掺杂处理很好地钝化了SiC/SiO_2界面处的碳团簇和界面态,而Si_3N_4介质能有效提高器件的绝缘性。将两者相结合,I-V特性测试的击穿场强达到14.5MV/cm~(-1),TDDB测试结果表
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