晶体管性能相关论文
目前，(PEA)2SnI4是二维有机无机金属卤化物钙钛矿薄膜场效应晶体管中研究最广泛的沟道材料，其主要问题是空气中Sn2+氧化和钙钛矿薄膜......
本文以吡咯并吡咯二酮并二噻唑的D-A共聚物为半导体材料，通过溶液剪切法制备有序薄膜，获得主链方向10 cm2/V·s的高迁移率。我们......
以真空蒸镀有机半导体材料并五苯为有源层,SiO2 作为绝缘层,不同的栅绝缘层修饰材料：聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA),聚苯乙烯(PS),聚......
以铟镓锌氧化物(IGZO)为有源层的薄膜晶体管由于其具有高的场效应迁移率、高的可见光透过率、大面积均匀性及与柔性衬底的兼容性而......
本文成功地制备了基于PECVD SiNx绝缘层和廉价的Cu为漏、源电极的并五苯薄膜晶体管，通过转折特性曲线得出器件的饱和迁移率为饱和迁......
在半导体生产过程中，硅片表面金属离子的污染可使二极管、晶体管性能变差，反向饱和电流迅速加大，甚至有可能使整个管子报废，器件完全失......
本文用真空沉积的方法制备了三种不同形态的酞菁铜薄膜并用摆动曲线方法对其结晶性进行了表征.之后又制备并表征了基于这三种薄膜......
在煤田测井仪器中，部分TYFZ—4型组合仪，经常出现统计超限、毛刺过多等无用信号过多的现象；个别仪器由于统计起伏过大，造成测量曲线在......
随着晶体管尺寸的进一步缩放，使得我们设计电路时需要考虑更高性能、更低成本、更高密度的要求;同时，由于尺寸的缩放，虽然一个芯片上......
