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晶界隧穿相关论文

离子束增强沉积VO2多晶薄膜的相变模拟

用多晶薄膜晶粒-晶界两相结构模型,考虑晶格畸变和载流子对晶界势垒区的隧穿机制,在10～100℃范围内,模拟了离子束增强沉积(IBED)VO2......

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VO2 多晶薄膜离子束增强沉积晶格畸变晶界隧穿相变模拟 VO2 polycrystalline filmion beam enhanced depos

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