晶相控制相关论文
GaAs是典型的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,由于其直接带隙特性(1.42 e V@300 K)和优秀的电子迁移率(~8500 cm2 V-1s-1)而被广泛应用于各种发光......
在水解沉淀法制备纳米TiO2粉体的过程中,使用不同的沉淀剂获得了晶相组成(金红石与锐钛矿比例)不同的粉体;使用混合沉淀剂,通过控......
尺寸、形貌和晶相控制的具有特定晶面的半导体纳米片由于其独特的性质受到了研究人员广泛的关注。[1,2] 我们通过相转移的方法......
近年来,铯铅卤化物Cs-Pb-Br钙钛矿纳米晶因其具有形状、尺寸和发射可调谐、高光致发光量子产率(Photoluminescence Quantum Yields......
VO2是一种具有相变特性的热敏功能材料,半导体单斜晶相VO2(M)到金属导体相VO2(R)的可逆转变,导致红外透光率变化,在建筑、汽车等领域......
本论文以钛酸四丁酯为钛源,以高浓度盐酸溶液为反应介质,采用水热法制备了纯锐钛矿相、纯金红石相及锐钛矿与金红石混相纳米TiO_2......
为了系统研究Ce-TiO2的晶相形成规律及其对光催化性能的影响,本文采用Sol—gel法制备了Ce-TiO2复合粉体,使用XRD、XPS等手段分别对其......
自2004年石墨烯被偶然发现以来,新型的二维材料以其独特和优异的物理化学性质引起了极大的关注,在电学器件、光电子器件、能源存储......
采用石墨发热体高温炉,对流延工艺成型的AlN陶瓷基片进行了几种烧结温度、时间的实验,并与金属发热体常压高温烧结炉烧制的AlN陶瓷基......
以钛酸丁酯为前躯体,在低温(40℃)下制备TiO2薄膜,并评价其光催化活性。结果表明,制备的TiO2薄膜不需经过高温处理,就有较好的光催化活性......
在水解-沉淀法制备纳米TiO2粉体的过程中,使用不同的沉淀剂获得了晶相不同的纳米TiO2粉体;使用混合沉淀剂,通过控制沉淀剂的比例,......