提出一种用于横向高压器件的曲率结扩展技术，并在横向双扩散MOSFET（LDM0s）上进行了实验验证。该技术采用一个轻掺杂的p-sub层，插入LDMO......

作为开关管使用的高压大电流LDMOS(Lateral Double-diffused MOSFET)在版图上通常设计为叉指状结构。然而在源叉指末端的小曲率半......